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一种用于存储器硬盘的CMP浆料及使用该浆料的抛光方法

来源:仲跻和

时间:2017-11-15

存储器    硬盘    抛光   

摘要:本发明公开了一种用于存储器硬盘的CMP浆料及使用该浆料的抛光方法,包括CMP浆料组合物和研磨料,CMP浆料组合物包括含有羟基、羧基或其两者的化合物、辅助添加剂以及去离子水,研磨料为二氧化硅溶胶,其中将二氧化硅溶胶加入CMP浆料组合物中并加入去离子水稀释,直至CMP浆料体系的粘度小于10(mPa.s),pH值在9.0‑10.0之间波动。本发明在CMP浆料体系中增加辅助添加剂,用以提高CMP浆料的研磨抛光效果,且研磨料采用碱性球形纳米粒子,其硬度小,能够解决传统CMP浆料对硬盘基片的划伤问题,且稳定性高,对设

      申请号:201610247000.0 
      申请日:2016.04.19 
      国家/省市:中国江苏(32)
      公开号:107304331A 
      公开日:2017.10.31 
      主分类号:C09G 1/02(2006.01)
      分类号:C09G 1/02(2006.01); B24B 1/00(2006.01)
      申请人:江苏天恒纳米科技股份有限公司 
      发明人:仲跻和
      申请人地址:江苏省南通市城东镇东海大道(东)18号

      摘要: 本发明公开了一种用于存储器硬盘的CMP浆料及使用该浆料的抛光方法,包括CMP浆料组合物和研磨料,CMP浆料组合物包括含有羟基、羧基或其两者的化合物、辅助添加剂以及去离子水,研磨料为二氧化硅溶胶,其中将二氧化硅溶胶加入CMP浆料组合物中并加入去离子水稀释,直至CMP浆料体系的粘度小于10(mPa.s),pH值在9.0‑10.0之间波动。本发明在CMP浆料体系中增加辅助添加剂,用以提高CMP浆料的研磨抛光效果,且研磨料采用碱性球形纳米粒子,其硬度小,能够解决传统CMP浆料对硬盘基片的划伤问题,且稳定性高,对设备要求低,使得该CMP浆料的抛光选择性高,可操作性强,可广泛用于存储器硬盘的抛光领域。

主权利要求
      1.一种用于存储器硬盘的CMP浆料,包括CMP浆料组合物和研磨料,其特征在于:所述CMP浆料组合物包括含有羟基、羧基或其两者的化合物、辅助添加剂以及去离子水,所述研磨料为二氧化硅溶胶,其中将二氧化硅溶胶加入CMP浆料组合物中并加入去离子水稀释,直至CMP浆料体系的粘度小于10(mPa.s),pH值在9.0-10.0之间波动。

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