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一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用

来源:黎海华; 向其军; 谭毅成

时间:2017-11-14

多孔碳化硅    碳化硅   

摘要:本发明涉及一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用。该多孔碳化硅陶瓷的制备方法包括如下步骤:称取原料,按照质量百分含量计,所述原料包括如下组分:80%~95%的碳化硅、2%~15%的助烧剂和1%~15%的添加剂,其中,添加剂选自钛酸铝、锂辉石及锂霞石中的至少一种;将原料混合形成混合料;将混合料成型形成生坯,再将生坯在1300℃~1550℃下烧结,得到多孔碳化硅陶瓷。上述多孔碳化硅陶瓷的制备方法制备到的多孔碳化硅陶瓷兼具较高的气孔率高和较低的热膨胀系数。

       申请号: 201710562427.4

       申请日: 2017.07.11

       国家/省市:中国深圳(94)

       公开号: 107324809A

       公开日: 2017.11.07

       主分类号:C04B 35/565(2006.01)

       分类号: C04B 35/565(2006.01); C04B 35/622(2006.01); C04B 35/64(2006.01); C04B 38/00(2006.01)

       申请人: 深圳市商德先进陶瓷股份有限公司

       发明人: 黎海华; 向其军; 谭毅成

       代理人: 潘霞

       代理机构:广州华进联合专利商标代理有限公司(44224)

       申请人地址:广东省深圳市宝安区沙井街道新二社区南岭路21号B栋一楼、二楼

       摘要:本发明涉及一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用。该多孔碳化硅陶瓷的制备方法包括如下步骤:称取原料,按照质量百分含量计,所述原料包括如下组分:80%~95%的碳化硅、2%~15%的助烧剂和1%~15%的添加剂,其中,添加剂选自钛酸铝、锂辉石及锂霞石中的至少一种;将原料混合形成混合料;将混合料成型形成生坯,再将生坯在1300℃~1550℃下烧结,得到多孔碳化硅陶瓷。上述多孔碳化硅陶瓷的制备方法制备到的多孔碳化硅陶瓷兼具较高的气孔率高和较低的热膨胀系数。

主权利要求

      1.一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:称取原料,按照质量百分含量计,所述原料包括如下组分:80%~95%的碳化硅、2%~15%的助烧剂和1%~15%的添加剂,其中,所述添加剂选自钛酸铝、锂辉石及锂霞石中的至少一种;将所述原料混合形成混合料;及将所述混合料成型形成生坯,再将所述生坯在1300℃~1550℃下烧结,得到多孔碳化硅陶瓷。 

一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用

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